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    意法半导体推出新型无源元件集成技术

    中国教育装备采购网2005-10-13 09:09围观630次我要分享我要投稿

        意法半导体(ST)公司日前披露了一项技术,据称可大幅提高薄膜无源元件集成的结电容密度。

        这项技术是在ST公司的IPAD技术上扩展的。可实现每平方米大于30毫微法的电容集成,这比当前的技术提高了50倍。

        这项技术是以一些被称作“PZT Perovskites”的物质为基础。该物质是一种化合物,其中包括铅,锆,钛及氧,当锆和钛的比例不同时,物质的存在方式也不同。这种物质有极高的电容率,是二氧化硅的200倍。而且,这种物质在IPAD生产流程中的集成费用很低。

        ST公司的IPAD技术可使大量的无源元件与有源器件,如ESD保护二级管,集成到单一结构中,实现过滤或保护功能。这包括了退耦和低频过滤需要的高性能电容。

        ST公司说,由于可以去除现在采用的SMD封装和设计更短的PC板连接,从而减少寄生干扰,PZT技术可以获得更好的集成和频率性能。

        ST公司己运用这一技术为一些客户生产了一些器件,并将在不久后向广大市场推出标准器件产品。


    来源:中电网我要投稿
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