近日，复旦大学微电子学院张卫、周鹏教授团队研发出具有颠覆性的二维半导体准非易失性存储原型器件，开创了第三类存储技术，不仅可以实现“内存级”的数据读写速度，还可以按需定制存储器的数据存储周期，可谓是半导体行业的颠覆性技术。
据介绍，此次研发的新型电荷存储技术，既满足了10纳秒写入数据速度，又实现了按需定制(10秒-10年)的可调控数据准非易失特性，写入速度比目前U盘快10000倍，数据刷新时间是内存技术的156倍。此技术将在极低功耗高速存储、数据有效期自由度利用等多领域发挥重要作用。
近日，复旦大学微电子学院张卫、周鹏教授团队研发出具有颠覆性的二维半导体准非易失性存储原型器件，开创了第三类存储技术，不仅可以实现“内存级”的数据读写速度，还可以按需定制存储器的数据存储周期，可谓是半导体行业的颠覆性技术。
据介绍，此次研发的新型电荷存储技术，既满足了10纳秒写入数据速度，又实现了按需定制(10秒-10年)的可调控数据准非易失特性，写入速度比目前U盘快10000倍，数据刷新时间是内存技术的156倍。此技术将在极低功耗高速存储、数据有效期自由度利用等多领域发挥重要作用。
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