恒奥德仪器直销霍尔传感器 原理分类
霍尔传感器是根据霍尔效应制作的种磁场传感器。霍尔效应是磁电效应的种，这现象是霍尔(A.H.Hall，1855-1938)于1879年在研究金属的导电机构时发现的。后来发现半导体、导电流体等也有这种效应，而半导体的霍尔效应比金属强得多，利用这现象制成的各种霍尔元件，广泛地应用于业自动化术、检测术及信息处理等方面。霍尔效应是研究半导体材料性能的基本方法。通过霍尔效应实验测定的霍尔系数，能够判断半导体材料的导电类型、载流子浓度及载流子迁移率等重要参数。
原理
由霍尔效应的原理知，霍尔电势的大小取决于:Rh为霍尔常数，它与半导体材质有关;I为霍尔元件的偏置电流;B为磁场强度;d为半导体材料的厚度。
对于个给定的霍尔器件，当偏置电流 I 固定时，UH将取决于被测的磁场强度B。
霍尔效应
个霍尔元件般有四个引出端子，其中两根是霍尔元件的偏置电流 I 的输入端，另两根是霍尔电压的输出端。如果两输出端构成外回路，就会产生霍尔电流。般地说，偏置电流的设定通常由外的基准电压源给出;若度要求，则基准电压源均用恒流源取代。为了达到的灵敏度，有的霍尔元件的传感面上装有导磁系数的镀膜合金;这类传感器的霍尔电势较大，但在0.05T左右出现饱和，仅适用在低量限、小量程下使用。
在半导体薄片两端通以控制电流I，并在薄片的垂直方向施加磁感应强度为B的匀强磁场，则在垂直于电流和磁场的方向上，将产生电势差为UH的霍尔电压。
作原理
磁场中有个霍尔半导体片，恒定电流I从A到B通过该片。在洛仑兹力的作用下，I的电子流在通过霍尔半导体时向侧偏移，使该片在CD方向上产生电位差，这就是所谓的霍尔电压。
霍尔电压随磁场强度的变化而变化，磁场越强，电压越，磁场越弱，电压越低，霍尔电压值很小，通常只有几个毫伏，但经集成电路中的放大器放大，就能使该电压放大到足以输出较强的信号。若使霍尔集成电路起传感作用，需要用机械的方法来改变磁感应强度。下图所示的方法是用个转动的叶轮作为控制磁通量的开关，当叶轮叶片处于磁铁和霍尔集成电路之间的气隙中时，磁场偏离集成片，霍尔电压消失。这样，霍尔集成电路的输出电压的变化，就能表示出叶轮驱动轴的某位置，利用这作原理，可将霍尔集成电路片用作用点火正时传感器。霍尔效应传感器属于被动型传感器，它要有外加电源才能作，这点使它能检测转速低的运转情况。
霍尔效应
霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用引起的偏转。当带电粒子(电子或空穴)被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷的聚积，从而形成附加的横向电场。对于图所示的半导体试样，若在X方向通以电流Is，在Z方向加磁场B，则在Y方向即试样A，A′电两侧就开始聚积异号电荷而产生相应的附加电场。电场的向取决定于试样的电类型。显然，该电场是阻止载流子继续向侧面偏移，[1]
当载流子所受的横向电场力eEH与洛仑兹力相等时，样品两侧电荷的积累就达到平衡，故有
⑴
其中EH为霍尔电场，V是载流子在电流方向上的平均漂移速度。设试样的宽为b，厚度为d，载流子浓度为n，则
⑵
由⑴、⑵两式可得
⑶
即霍尔电压VH(A、A′电之间的电压)与ISB乘积正比与试样厚度d成反比。比例系数 称为霍尔系数，它是反映材料霍尔效应强弱的重要参数，只要测出 VH(伏)以及知道IIs(安)、B(斯)和d(厘 米)可按下式计算RH(厘米3/库仑)
元件
霍尔传感器
根据霍尔效应，人们用半导体材料制成的元件叫霍尔元件。它具有对磁场敏感、结构简单、体积小、频率响应宽、输出电压变化大和使用寿命长等优点，因此，在测量、自动化、计算机和信息术等域得到广泛的应用。
分类
霍尔传感器分为线型霍尔传感器和开关型霍尔传感器两种。
()开关型霍尔传感器由稳压器、霍尔元件、差分放大器，斯密触发器和输出组成，它输出数字量。开关型霍尔传感器还有种殊的形式，称为锁键型霍尔传感器。
(二)线性型霍尔传感器由霍尔元件、线性放大器和射跟随器组成，它输出模拟量。
线性霍尔传感器又可分为开环式和闭环式。闭环式霍尔传感器又称零磁通霍尔传感器。线性霍尔传感器主要用于交直流电流和电压测量。.
优点
1、 霍尔传感器可以测量意波形的电流和电压，如:直流、交流、脉冲波形等，甚至对瞬态峰值的测量。副边电流忠实地反应原边电流的波形。而普通互感器则是无法与其比拟的，它般只适用于测量50Hz正弦波;
xrdt霍尔传感器
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2、 原边电路与副边电路之间有良好的电气隔离，隔离电压可达9600Vrms;
3、度:在作温度区内度优于1%，该度适合于何波形的测量;
4、线性度好:优于0.1%;
5、宽带宽:带宽的电流传感器上升时间可小于1μs;但是，电压传感器带宽较窄，般在15kHz以内，6400Vrms的压电压传感器上升时间约500uS，带宽约700Hz。
6、测量范围:霍尔传感器为系列产品，电流测量可达50KA，电压测量可达6400V。
霍尔电流传感器使用时，需遵循以下注意事项:
1、为了得到较好的动态性和灵敏度，须注意原边线圈和副边线圈的耦合，要耦合得好，好用单根导线且导线填满霍尔传感器模块孔径。
2、使用中当大的直流电流流过传感器原边线圈，且次电路没有接通电源|稳压器或副边开路，则其磁路被磁化，而产生剩磁，影响测量度(故使用时要接通电源和测量端M)，发生这种情况时，要行退磁处理。其方法是次边电路不加电源，而在原边线圈中通同样等大小的交流电流并逐渐减小其值。
3、霍尔传感器都具有较强的抗外磁场干扰能力，但是，为了获得较的测量准确度，当有较强的磁场干扰时，要采取适当的措施来解决。通常方法有:
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