北京中慧天诚科技有限公司

第6年
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 射频ICP薄膜沉积装置 型号:YQ-DHIP-1 货号:ZH5495
  • 射频ICP薄膜沉积装置 型号:YQ-DHIP-1 货号:ZH5495
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    适用范围:全领域
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    上架时间:2018年07月21日
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    射频ICP薄膜沉积装置 型号:YQ-DHIP-1 货号:ZH5495
    产品简介
      本装置主要由薄膜沉积室、真空抽气系统、气源进气调节系统、衬底加热温度控制系统等部分组成。
      通过本实验装置可以掌握CVD(化学气相沉积);理解CVD的成膜过程及要求,化学输运反应的原理,等离子体CVD的原理、特点及等离子体的激励方式;了解该技术在电学、光学、微电子学等领域的广阔应用前景。
    可开设的实验
    1、P型微晶硅材料及在薄膜太阳能电池上的应用;
    2、硅系纳米复合薄膜材料PCVD法制备;
    3、电容耦合/电感耦合等离子体化学气相沉积制备各种功能薄膜。
    主要技术参数
    1、薄膜沉积室:由不锈钢底与玻璃钟罩组成;有效尺寸:Φ220×H230mm;
    2、薄膜沉积室本底真空: ≤1Pa;
    3、射频耦合方式:电容耦合/电感耦合;射频源功率:带500W  13.56MHz;
    4、气路系统:由三路转子流量计控制(可选配质量流量计);
    5、衬底加热温度:室温至300℃可控;
    6、平行板电极:Φ70mm;
    7、工作反应气体:由电极板上微孔均匀导入;
    8、真空抽气系统:2XZ-4型旋片机械泵,4L/S,单相220V交流电源供电;
    9、管道、阀门:材质使用不锈钢和金属波纹管;
    10、对过流过压、断路等异常情况进行报警,并执行相应保护措施;
    11、供电电源:AC220V,50Hz,整机功率2KW。
    射频ICP薄膜沉积装置 型号:YQ-DHIP-1 货号:ZH5495