北京德仪天力科技发展有限公司

第6年
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磁控溅射仪

磁控溅射仪

参考价格:¥1200000.00
品  牌:DE
产品型号:DE500 (DE500SPUTTER)
适用范围:高教
所在地区:华北 北京
上架时间:2017-05-02
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详细说明

磁控溅射仪

Configuration

主要配置

Magnetron Sputter Chamber

溅射真空腔室

D shape, 304 stainless steel chamber with viewport

磁控溅射腔体为304不锈钢,并有观察窗

Vacuum Pumping

真空泵

Turbo pump and dry rough pump with sputter chamber

溅射室配备分子泵和无油机械泵

Vacuum Valve

真空阀门

Pneumatic operation high vacuum and isolation gate valves

气动控制高真空和隔离插板阀门

Chamber Vent Valve, Rough and Foreline angle valve, and gas valve

腔体充气阀门,粗抽和前级角阀,气体截止阀

Sputtering Sources

溅射源

Four 4” circle magnetron sputtering sources

4个4英寸圆形磁控溅射源

Each source with Pneumatic shutter

每个源配备手动挡板

The power supply can be DC, pulse DC or RF power supply

电源可以配备直流,脉冲直流或射频电源

Sample Stage 

样品台

 

Substrate linear motion, rotating, and the sample heating or water cooling, 

Up to 6” substrate with Pneumatic substrate shutte

样品台直线升降和旋转,样品可加热或冷却,最大6英寸基片装载能力,配气动样品挡板

Vacuum Gauging

真空测量

Wide range vacuum gauge and Pirani rough gauge

宽量程真空计用于测量真空和皮拉尼粗抽计

Pressure Control

压力控制

Mass flow controller and Capacitance Manometer

流量计和压力计

PID downstream and upstream pressure control

PID下游和上游压力控制模式

Cooled Water Interlock

冷水安全互锁

There are cooled water flow sensors of interlock to protect sputter sources work properly

溅射源冷却水路配水流传感器对溅射源安全互锁保护

Load Lock

Option

O2 reactive, RF plasma cleaning, single or multi substrate loading

可选,

通氧反应,射频等离子体清洗, 单基片或多基片装载能力

 

Specification

主要技术指标

Sputter Chamber Size

磁控溅射腔体尺寸

450mm wide x 430mm deep x 450mm high

450mm宽430mm深450mm高

The Base Vacuum Pressure in Sputter Chamber

溅射腔体极限真空度

better than 5E-8 Torr

优于5E-8托

Sample Loading Capacity

装样能力

Max. 6 inch flat substrate

最大6英寸的平板基片

The Max. Temperature of the Sample Heater

样品加热器最高温度

1000C

1000度

The film uniformity

膜厚均匀性

better than +/-3% over a rotating 4 inch Silicon wafer

在旋转的4英寸硅基片上的膜厚均匀性由于+/-3%

General Sputtering Pressure

通用溅射压力

1-50 mTorr

1至50毫托

 

Features:

特点:

 

Good Film Uniformity and repeatability     

很好的薄膜均匀性和重复性

 

Safety interlock for critical components

关键部件安全互锁保护

 

PID downstream and upstream pressure control

PID下游和上游压力控制模式

产品技术优势:

DE500 Sputter 磁控溅射仪极限真空度可达≤ 5.0×10-8Torr

抽至1E-6Torr的时间约为15分钟,抽至5E-7Torr的时间约为30分钟
 
关机100小时后的真空度可保持在7.5E-2Torr
 
工作气压稳定性优于0.25%,溅射气压下观察不到压力漂移
 
直流起辉气压低至0.7mTorr, 直流和射频均可保持在该气压下辉光稳定工作
 
直流起辉功率低于10W,并可保持辉光稳定工作
 
批次均匀性重复性优于+/-5%
 
基片加热温度高达1000度
 
铬膜附着力经3M胶带剥离测试薄膜无脱离
 
射频溅射的反射功率为