北京德仪天力科技发展有限公司

 磁控溅射仪
  • 磁控溅射仪
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    参考价格: ¥1200000.00
    品  牌:DE
    产品型号:DE500 (DE500SPUTTER)
    适用范围:高教
    所在地区:北京
    上架时间:2018年06月13日
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    详细说明

    磁控溅射仪

    Configuration

    主要配置

    Magnetron Sputter Chamber

    溅射真空腔室

    D shape, 304 stainless steel chamber with viewport

    磁控溅射腔体为304不锈钢,并有观察窗

    Vacuum Pumping

    真空泵

    Turbo pump and dry rough pump with sputter chamber

    溅射室配备分子泵和无油机械泵

    Vacuum Valve

    真空阀门

    Pneumatic operation high vacuum and isolation gate valves

    气动控制高真空和隔离插板阀门

    Chamber Vent Valve, Rough and Foreline angle valve, and gas valve

    腔体充气阀门,粗抽和前级角阀,气体截止阀

    Sputtering Sources

    溅射源

    Four 4” circle magnetron sputtering sources

    4个4英寸圆形磁控溅射源

    Each source with Pneumatic shutter

    每个源配备手动挡板

    The power supply can be DC, pulse DC or RF power supply

    电源可以配备直流,脉冲直流或射频电源

    Sample Stage 

    样品台

     

    Substrate linear motion, rotating, and the sample heating or water cooling, 

    Up to 6” substrate with Pneumatic substrate shutte

    样品台直线升降和旋转,样品可加热或冷却,最大6英寸基片装载能力,配气动样品挡板

    Vacuum Gauging

    真空测量

    Wide range vacuum gauge and Pirani rough gauge

    宽量程真空计用于测量真空和皮拉尼粗抽计

    Pressure Control

    压力控制

    Mass flow controller and Capacitance Manometer

    流量计和压力计

    PID downstream and upstream pressure control

    PID下游和上游压力控制模式

    Cooled Water Interlock

    冷水安全互锁

    There are cooled water flow sensors of interlock to protect sputter sources work properly

    溅射源冷却水路配水流传感器对溅射源安全互锁保护

    Load Lock

    Option

    O2 reactive, RF plasma cleaning, single or multi substrate loading

    可选,

    通氧反应,射频等离子体清洗, 单基片或多基片装载能力

     

    Specification

    主要技术指标

    Sputter Chamber Size

    磁控溅射腔体尺寸

    450mm wide x 430mm deep x 450mm high

    450mm宽430mm深450mm高

    The Base Vacuum Pressure in Sputter Chamber

    溅射腔体极限真空度

    better than 5E-8 Torr

    优于5E-8托

    Sample Loading Capacity

    装样能力

    Max. 6 inch flat substrate

    最大6英寸的平板基片

    The Max. Temperature of the Sample Heater

    样品加热器最高温度

    1000C

    1000度

    The film uniformity

    膜厚均匀性

    better than +/-3% over a rotating 4 inch Silicon wafer

    在旋转的4英寸硅基片上的膜厚均匀性由于+/-3%

    General Sputtering Pressure

    通用溅射压力

    1-50 mTorr

    1至50毫托

     

    Features:

    特点:

     

    Good Film Uniformity and repeatability     

    很好的薄膜均匀性和重复性

     

    Safety interlock for critical components

    关键部件安全互锁保护

     

    PID downstream and upstream pressure control

    PID下游和上游压力控制模式

    产品技术优势:

    DE500 Sputter 磁控溅射仪极限真空度可达≤ 5.0×10-8Torr

    抽至1E-6Torr的时间约为15分钟,抽至5E-7Torr的时间约为30分钟
     
    关机100小时后的真空度可保持在7.5E-2Torr
     
    工作气压稳定性优于0.25%,溅射气压下观察不到压力漂移
     
    直流起辉气压低至0.7mTorr, 直流和射频均可保持在该气压下辉光稳定工作
     
    直流起辉功率低于10W,并可保持辉光稳定工作
     
    批次均匀性重复性优于+/-5%
     
    基片加热温度高达1000度
     
    铬膜附着力经3M胶带剥离测试薄膜无脱离
     
    射频溅射的反射功率为