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 导电微晶静电场描绘仪
  • 导电微晶静电场描绘仪
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    参考价格: ¥0.00
    适用范围:全领域
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    上架时间:2018年09月20日
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    详细说明

    导电微晶静电场描绘仪/ 型号:DPGVZ-4

    一.知识准备

    1. 关键词:模拟法,静电场,稳恒电流场,等位线,电力线;

    2. 用模拟法测绘静电场分布的原理;

    3. 高斯定律。

    二.实验目的           

            1、学习用模拟方法来测绘具有相同数学形式的物理场;

          2、描绘出分布曲线及场量的分布特点;

          3、加深对各物理场概念的理解;

          4、初步学会用模拟法测量和研究二维静电场。

    主要技术参数:

    1.     DPGVZ-4型为箱体和电源分离式,单笔测试,内置四种电极

    (同心圆、平行导线、聚焦、劈尖形或飞机机翼电场)。
    2.规格为420mm*260mm,高100mm,K4-2导线。
    3.同心圆印有极坐标(大r6.5cm ,小r1cm),其他电极距离为8cm.
    4.微晶导电层的均匀性,实验值误差为小于2%。
    5.电源输出范围(直流)为7.00v—13.00V,分辨率为0.01V (配三位半数码管)。
    6.采用多圈电位器调节电压,调节细度可达0.01V。