武汉迈可诺科技有限公司

 掩膜对准光刻机
  • 掩膜对准光刻机
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    参考价格: ¥1500000.00
    品  牌:NXQ
    产品型号:NXQ4006
    适用范围:高教
    所在地区:美国
    应用院校:国防科技大学,复旦大学,北京大学
    上架时间:2018年08月01日
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    详细说明

    MYCRO原装进口美国恩科优N&Q系列光刻机(Mask Aligner),是全球领先的光刻系统,在光刻领域有超过35年的经验,全球售出1000多套设备,为半导体制造和科研领域提供品质优良稳定的全波段紫外光刻机系统,广泛的应用于半导体光刻工艺制程、微机电MEMS、二极管芯片、发光二极体(LED)芯片制造、生物器件、纳米科技、显示面板LCD、光电器件、奈米压印以及电子封装等诸多领域。

    品牌:恩科优(N&Q

    产地:美国

    恩科优光刻机分为半自动和全自动两大系列。其中,N&Q4000系列光刻机是以半自动系统为主。该系统优越的操作性,超高的分辨率,均匀的光学系统,现代先进的接近式和接触式光刻及超高的性价比,使恩科优光刻系统已经被全国各地众多著名企业、研发中心、研究所和高校采用,并成为他们光刻系统的首选;

    二、技术参数:

    1、芯片尺寸:5mm~150mm的圆片/方片和不规则碎片(支持对不规则碎片的特殊卡盘设计);

    2、曝光波长:350nm-450nm(其它波长可选配);

    3、汞灯功率:350W/500W(其它功率可选配);

    4、分辨率:优于0.5um

    5、曝光模式:支持接近式曝光,各种接触式(真空接触、软接触、硬接触等)曝光;

    6、出射光强范围:10mW/cm2~55mW/cm2@405nm

    7、支持恒定光强或恒定功率模式;

    8、曝光时间:0.1~999.9s

    9、对准精度:双高清彩色CCD +双高清彩色监视器,对准精度可达到0.4微米内;

    10、掩膜尺寸:2 x 2英寸到9 x 9英寸(2 x 2英寸需要掩膜转换器)

    11、光强均匀性Uniformity

    <±1% over 2区域;

    <±2% over 4区域;

    <±3% over 6区域;

    12、双面光刻:具备背面红外对准(IR BSA)和光学背面对准(OBS BSA),双面对准精度≤2μm

    13、电源:高灵敏度光强可控电源。

    可选型号:

    NXQ400-6

    NXQ400-8

    NXQ800-6

    NXQ8006 Sapphire

    NXQ800-8

    三、产品特点:

    可选支持单面对准和双面对准设计;

    高清晰彩色双CCD镜头采用最先进的分裂视场显微镜镜头(基于无限远修正的CCD镜头设计);双头高清全彩物镜(单视场或分裂视场可供用户灵活选择);

    高清彩色双显示屏;

    全新气动轴承导轨设计,高精准,低磨损,无需售后维护的;

    具有自动执行楔形误差补偿,并在找平后自动定位功能;

    操作简易,具有支持多操作员同台使用的友好操作界面;

    操控手柄调控模式的独特设计;

    采用LED穿透物镜照明技术,具有超强对准亮度;

    采用基于无限远修正的显微镜镜头架构;

    抗衍射反射的高效光学光路设计;

    带安全保护功能的温度和气流传感器;

    全景准直透镜光线偏差半角: <1.84度;

    设备稳定性,耐用性超高;

    掩膜对准光刻机