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早在1996年，JohnSlonczewski和LucBerger就提出一个理论，即大密度电流可以驱动磁化翻转，这被称为自旋转移矩（spintransfertorque）。该理论指出电荷的运动也可以影响自旋...

2024-07-12 围观127次 [方案] 高教

近日，国务院印发了《推动大规模设备更新和消费品依旧换新行动方案》，要求“到2027年，工业、农业、建筑、交通、教育、文旅、医疗等领域设备投资规模较2023年增长25%以上”...

2024-03-25 围观625次高教

巨磁阻效应自发现以来就被广泛应用于MRAM、磁传感器等自旋电子器件中。目前，基于巨磁阻效应的自旋电子器件主要是铁磁体磁隧道结，其研究和发展受限于铁磁体的使用。因此，...

2023-07-26 围观3271次 [技术] 高教

近年来，人们在不断探索新型低能耗、高存储密度的磁存储材料，特别是对于磁畴壁动力学、斯格明子等方面的研究吸引了大批科研人员的目光。随着研究的深入，制备出具有特定磁...

2023-06-21 围观7319次 [方案] 高教

今年1月，三星电子在学术期刊Nature上发表了全球基于MRAM（磁性随机存储器）的存内计算研究。存内计算由于毋需数据在存储器和处理器间移动，大大降低了AI计算的功耗，被视作...

2022-05-12 围观2428次 [技术] 高教

存算一体及人工智能神经网络芯片采用非冯诺依曼架构体系，可大降低数据的访问延迟和传输能耗，提升计算速度。SOT-MRAM以其高速、高耐久度等优点，在此类应用中将发挥巨大的...

2021-11-26 围观791次 [技术] 高教

随着人工智能(AI)、深度学习、大数据、game及5G移动技术快速发展，导致数据储存量上升，半导体内存被要求低耗化。为解决这个问题目前商用化的有Dram，FlashMemory(NAND)等储...

2021-07-01 围观1407次 [技术] 高教

[报告简介]磁性材料的显微观测有助于材料的微观结构及其形成机理的研究，随着科研的发展，磁性材料研究的尺度已经趋向于亚微米甚至纳米，因此，超高分辨和超高灵敏度的测试...

2020-05-30 围观1869次 [动态] 高教

随着半导体工艺的发展，集成电路的关键尺寸已经趋向于几纳米或更小。在2019年的日本SFF（三星晶圆代工论坛）会议上，三星公布了3nm工艺的具体指标，与现在的7nm工艺相比，3...

2020-05-11 围观5144次 [新品] 高教

磁随机存储器（Magneticrandomaccessmemory，MRAM）是一种利用读取磁阻大小为原理的新型非易失性（Non-Volatile）随机存储器，与其他存储技术相比，MRAM在速度、面积、写入...

2019-05-14 围观897次 [应用] 高教

早期的磁隧道结依靠磁场实现磁化翻转，这种方式往往功耗较高，随着工艺尺寸减小,写入电流将急剧增大,难以在纳米磁隧道结中推广应用。1996年,Slonczewski和Berger从理论上预...

2019-04-28 围观3149次 [应用] 高教

磁随机存储器(MagneticRandomAccessMemory,MRAM)利用磁隧道结自由层磁矩取向不同引起的磁阻不同作为存储单位0和1，同时结合传统的磁存储(PMR)非易失性及静/动态随机存储器(SRAM/DRAM)读写速度快...

2017-10-11 围观5743次 [方案] 高教