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基于超宽禁带氧化镓半导体的日盲探测器研究分享
寻求更宽的禁带宽度和更高的材料性能是化合物半导体材料发展的一个重要趋势。氧化镓(Ga2O3)半导体具有禁带宽度大(Eg~4.8eV)、击穿场强高(Ebr~8MV/cm)、Baliga品质因数...
2022-04-27
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[技术]
高教
热点应用丨氧化镓日盲探测器的光电特性测试方法研究
应用方向:光电探测/材料科学/探测器所用产品:“DSR600-3110-DUV”紫外探测器光谱响应度标定系统引言近年来,随着导弹预警,臭氧空洞监测等需求的提出,日盲紫外光电探测器...
2022-04-22
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