一种脉冲功率开关电路封装结构

　　摘要：本发明公开了一种脉冲功率开关电路封装结构。包括第一铜箔、半导体脉冲功率开关芯片、电容、第二铜箔、铜柱、磁开关和第三铜箔；电容的一端焊接第三铜箔，另一端焊接铜柱的一端，铜柱与电容的中心轴垂直，铜柱的另一端穿过磁开关的中心焊接至第二铜箔的一端，第二铜箔与电容的中心轴平行，其另一端靠近电容的一面焊接半导体脉冲功率开关芯片的阳极，半导体脉冲功率开关芯片的阴极焊接第一铜箔。本发明将多个外围器件与半导体脉冲功率开关封装在一起形成一个整体模块，体积小，功能完善，降低了杂散参数并简化了外围电路，采用新型封装工艺，增强了功率器件的稳定性，降低了成本。

专利类型发明专利
申请人华中科技大学;
发明人梁琳;常文光;
地址430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
申请号CN201410233875.6
申请时间2014年05月29日
申请公布号CN104051442B
申请公布时间2016年08月31日
分类号H01L25/00(2006.01)I;H01L25/16(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I;H03K17/56(2006.01)I;