摘要：本发明提供了一种气液两相雾化清洗装置，涉及半导体晶片工艺技术领域，包括气体管道、液体管道以及气液两相雾化喷嘴，气体管道和液体管道的一端设置在摆臂上，其另一端连通气液两相雾化喷嘴以形成雾化颗粒，摆臂带动气液两相雾化喷嘴在晶片边缘与晶片中心之间做圆弧往复运动。本发明通过气液两相雾化喷嘴结构，使高速液体流与高速气体流充分的相互作用，并通过调整气体流速和小流量液体流速，形成颗粒尺寸均一的超微雾化液滴，经过高速气体流加速以后，喷射在晶片表面，完成清洗，本发明促进了沟槽中杂质向流体主体的传递，提高清洗的效率，改善清洗效果，由于雾化颗粒的质量小，减少了对晶片表面图形结构的损伤。
- 专利类型发明专利
- 申请人北京七星华创电子股份有限公司;
- 发明人滕宇;吴仪;
- 地址100016 北京市朝阳区酒仙桥东路1号
- 申请号CN201510261375.8
- 申请时间2015年05月21日
- 申请公布号CN104841660A
- 申请公布时间2015年08月19日
- 分类号B08B3/02(2006.01)I;B08B13/00(2006.01)I;
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京公网安备11010802043465号
