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    一种二硒化钴/碳纳米材料及其制备方法与应用

      摘要:本发明公开了一种二硒化钴/碳纳米材料,包括基底、厚度为1μm~2μm的CoSe2层以及厚度为1nm~10nm的无定形碳层,所述CoSe2层生长于所述基底表面,呈现三维片状结构,所述无定形碳层附着于所述CoSe2层表面,且所述CoSe2层与所述无定形碳层的质量比为90:1~1800:1,所述基底为钛片或钛丝。本发明通过将无定形碳层附着于CoSe2材料表面,从而提高了纳米材料的循环稳定性,从而进一步使制备获得的锂离子电池,既具有高导电率、高容量的优点,又具有更好的循环稳定性和使用寿命。
    • 专利类型发明专利
    • 申请人华中科技大学;
    • 发明人朱明强;喻能;
    • 地址430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
    • 申请号CN201510777661.X
    • 申请时间2015年11月14日
    • 申请公布号CN105428647A
    • 申请公布时间2016年03月23日
    • 分类号H01M4/58(2010.01)I;H01M4/583(2010.01)I;H01M4/62(2006.01)I;H01M4/1397(2010.01)I;H01M10/0525(2010.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;