MR-2磁阻效应实验仪
一、概述
磁阻器件由于其灵敏度高、抗干扰能力强等优点在工业、交通、仪器仪表、医疗器械、探矿等领域应用十分广泛，如：数字式罗盘、交通车辆检测、导航系统、伪钞检别、位置测量等探测器。磁阻器件品种较多，可分为正常磁电阻，各向异性磁电阻，特大磁电阻，巨磁电阻和隧道磁电阻等。其中正常磁电阻的应用十分普遍。锑化铟（InSb）传感器是一种价格低廉、灵敏度高的正常磁电阻，有着十分重要的应用价值。它可用于制造在磁场微小变化时测量多种物理量的传感器。本实验装置结构简单，实验内容丰富，使用两种材料的传感器：砷化镓（GaAs）作为测磁探头测量电磁铁气隙中的磁感应强度，研究锑化铟（InSb）在一定磁感应强度下的电阻，融合霍尔效应和磁阻效应两种物理现象，具有科学研究的前瞻性，特别适合大学物理实验。
二、实验内容
1. 测定通过电磁铁的励磁电流IM和电磁铁气隙中磁感应强度的关系,观测GaAs传感器的霍尔效应。
2. 测量锑化铟传感器的电阻与磁感应强度的关系。
3. 作出锑化铟传感器的电阻变化与磁感应强度的关系曲线。对此关系曲线的非线性区域和线性区域分别进行拟合
4. 外接信号发生器，深入研究磁电阻的交流特性（倍频效应）和观测其特有的物理现象。
三、主要技术参数
1） 恒流源1：输出电流0-1A，连续可调，分辨率1mA，三位半数字电流表显示。
2） 内置InSb电阻用恒流源0-4mA.
3）电压表：量程±1999.9mV，四位半数字电压表显示，分辨率0.1mV。
4）数字毫特仪：量程量程0±1999.9mT，分辨率0.1mT，准确度优于1%FS；四位半数字显示.
