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第三代半导体测试仪

第三代半导体测试仪
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产品报价: 28800
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普赛斯仪表
S型
武汉普赛斯仪表有限公司
高教
湖北 武汉
详细说明

第三代半导体测试仪之数字源表认准普赛斯仪表,普赛斯数字源表自主研发生产,对标美国2400,B2901;实现“源”的输出和“表”的测量同步进行,提高测试效率;支持四象限工作测量范围广,电压高300V,电流低至100pA;可进行自我限制,避免因过充而造成的对测试器件的损害;5寸触摸显示屏图形化操作,内置强大的功能软件,加速用户完成测试;支持多种通讯方式,RS-232、GPIB及以太网

  第三代半导体测试仪特点:

  多功能:可作源和负载,又能测;

  G效率:满足多种测试需求;

  可编程控制:高精度可调,灵活控制;

  IV扫描:快速、直观显示,一步操作。

  应用领域:

  分立半导体器件特性测试,电阻、二极管、发光二极管、齐纳二极管、PIN二极管、BJT三极管、MOSFET、SIC、GaN等器件;

  能量与效率特性测试,LED/AMOLED、太阳能电池、电池、DC-DC转换器等

  传感器特性测试,电阻率、霍尔效应等

  有机材料特性测试,电子墨水、印刷电子技术等

  纳米材料特性测试,石墨烯、纳米线等

  测试功能:

微电路

1

晶圆

L-IV测试,输入曲线、输出曲线

2

芯片

L-IV测试,输入曲线、输出曲线

器件

1

二极管

正向导通电压、正向电流、反向击穿电压、反向漏电流

2

三极管

L-IV测试,输入曲线、输出曲线

3

MOSFET

L-IV测试,输入曲线、输出曲线

4

IGBT

L-IV测试,输出曲线、转移曲线

5

晶闸管

正向电压电流曲线、反向电压电流曲线、触发特性

电池

1

锂电池

IV测试,充放电扫描曲线

2

光伏电池

IV测试,放电扫描曲线

材料

1

石墨烯

IV测试、输入曲线、输出曲线

2

纳米线

IV测试、输入曲线、输出曲线

  S系列介绍:

  特点:

  1、5寸800*480触摸显示屏,全图形化操作

  2、内置强大的功能软件,加速用户完成测试,如LIV、PIV

  3、源及测量的准确度为0.1%,分辨率5数位

  4、四象限工作(源和肼),源及测量范围:电流100pA~1A,电压0.3mV~300V

  5、丰富的扫描模式,支持线性扫描、指数扫描及用户自定义扫描

  6、支持USB存储,一键导出测试报告

  7、支持多种通讯方式,RS-232、GPIB及以太网

  参数:

源限度

电压源: +30V (≤1A量程) , +300V (≤100mA量程) ;

电流源

士1.05A(≤30V量程),+105mA (≤300V量程) ;

过量程

105%量程,源和测量;

稳定负载电容

<22nF ;

宽带噪声(20MHz)

2mVRMS(典型值),<20mVVp-p(典型值);

线缆保护电压

输出阻抗1K9 ,输出电压偏移<80uV ;

Z大采样速率

1000采样点/秒;

触发

支持IO触发输入及输出,触发极性可配置;

输出接口

前后面板香蕉头插座输出,同- -时刻只能用前或者后面板接口;

通信口

RS-232、GPIB、 以太网;

电源

AC 100~ 240V 50/60Hz ;

工作环境

25+10°C ;

尺寸

106mm高x 255mm宽x 425mm长;

重量

5Kg ;

质保期

3年;

  国产优势

  1、自主研发,符合大环境下国内技术自给的需求;

  2、性价比高;

  3、可及时与客户沟通,为客户提供高性价比系统解决方案。及时指导客户编程,加速测试系统开发。

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