XN-LT1高频光电导少数载流子寿命测试仪适用于硅、锗单晶的少数载流子寿命测量
本设备采用高频光电导衰减测量方法，适用于硅、锗单晶的少数载流子寿命测量，硅单晶寿命测量ρ≥2Ω?cm，由于对样块体形无严格要求，因此广泛应用于工厂的常规测量。寿命测量可灵敏地反映单晶体重金属污染及缺陷存在的情况，是单晶质量的重要检测项目。
2、技术参数
（1）寿命测试范围：5~10000μs；电阻率测量范围：ρ≥2Ω?cm
测电子级参杂硅单晶片（厚度小于1mm），电阻率范围：ρ＞0.1Ω?cm（表面可能需要抛光处理）
测量重复性误差≤±20%
（2）光脉冲发生装置
重复频率＞20~30次/s，光脉冲关断时间：0.2~1μs，余辉＜1μs
红外光源波长：1.06～1.09μm（测量硅单晶），红外光在硅单晶内穿透深度大于500μm如测量锗单晶寿命需另行配置适当波长的光源
脉冲电源：5A～20A
（3）高频源
高频振荡源：石英谐振器；频率：30MHz；低输出阻抗，输出功率＞1W
（4）放大器和检波器
放大倍数约25倍，频宽：2Hz～2MHz
（5）仪器配置的光源电极台既可测纵向放置的单晶，亦可测竖放单晶横载面的寿命
可测单晶尺寸：
断面竖测：直径25～150，厚度2mm～500mm
纵向卧测：直径5mm～150mm，长度50mm～800mm
（6）读数方式：可选配载流子寿命用测试软件系统或用数字示波器读数，软件系统测试操作简单，点击“测量”即可，自动保存数据及相应测试点衰减波形到数据库，可进行查询历史数据和导出历史数据等操作。
