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XN-LT1高频光电导少数载流子寿命测试仪适用于硅、锗单晶的少数载流子寿命测量

XN-LT1高频光电导少数载流子寿命测试仪适用于硅、锗单晶的少数载流子寿命测量
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北京鑫诺宸仪器仪表有限公司
XN-LT1
北京鑫诺宸仪器仪表有限公司
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详细说明

  XN-LT1高频光电导少数载流子寿命测试仪适用于硅、锗单晶的少数载流子寿命测量

  本设备采用高频光电导衰减测量方法,适用于硅、锗单晶的少数载流子寿命测量,硅单晶寿命测量ρ≥2Ω?cm,由于对样块体形无严格要求,因此广泛应用于工厂的常规测量。寿命测量可灵敏地反映单晶体重金属污染及缺陷存在的情况,是单晶质量的重要检测项目。

  2、技术参数

  (1)寿命测试范围:5~10000μs;电阻率测量范围:ρ≥2Ω?cm

  测电子级参杂硅单晶片(厚度小于1mm),电阻率范围:ρ>0.1Ω?cm(表面可能需要抛光处理)

  测量重复性误差≤±20%

  (2)光脉冲发生装置

  重复频率>20~30次/s,光脉冲关断时间:0.2~1μs,余辉<1μs

  红外光源波长:1.06~1.09μm(测量硅单晶),红外光在硅单晶内穿透深度大于500μm如测量锗单晶寿命需另行配置适当波长的光源

  脉冲电源:5A~20A

  (3)高频源

  高频振荡源:石英谐振器;频率:30MHz;低输出阻抗,输出功率>1W

  (4)放大器和检波器

  放大倍数约25倍,频宽:2Hz~2MHz

  (5)仪器配置的光源电极台既可测纵向放置的单晶,亦可测竖放单晶横载面的寿命

  可测单晶尺寸:

  断面竖测:直径25~150,厚度2mm~500mm

  纵向卧测:直径5mm~150mm,长度50mm~800mm

  (6)读数方式:可选配载流子寿命用测试软件系统或用数字示波器读数,软件系统测试操作简单,点击“测量”即可,自动保存数据及相应测试点衰减波形到数据库,可进行查询历史数据和导出历史数据等操作。

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