扩散炉应用于大规模集成电路、电力电子器件、光电子器件、半导体器件、光导纤维及太阳能电池等行业的氧化、扩散、烧结、合金等工艺，可用于3-12英寸工艺尺寸。
主要技术指标：
炉管数：1～4管
配工艺管口径：Φ90～360 mm (3～12英寸)
恒温区长度：760～1000 mm±1.0℃ (300～800℃) 760～1000 mm±0.5℃(800～1280℃)
单点稳定性：±1.0℃/24h (300～800℃) ±0.5℃/24h (800～1280℃)
气源路数：≤7路，可配恒温源瓶、氢氧合成点火器
气体控制：浮子/质量流量计
悬臂舟参数：速度：20～1000 mm/min 行程：2000 mm 定位精度：±1 mm 载荷：17 Kg
超净工作台：净化等级：100级（万级厂房）
噪音：≤62dB（A）
振动：≤3μm
设备特点：单元组合方式。根据工艺的不同，可以在主机的基础上配气源柜、超净工作台、悬臂推拉舟等。
晨立扩散炉设备,技术和质量已达国际水平,受到半导体设备制造企业和半导体行业高度关注.可完全替代国外同规格产品满足不同工艺的要求。
