扩散炉应用于大规模集成电路、电力电子器件、光电子器件、半导体器件、光导纤维及太阳能电池等行业的氧化、扩散、烧结、合金等工艺,可用于3-12英寸工艺尺寸。
主要技术指标:
炉管数:1~4管
配工艺管口径:Φ90~360 mm (3~12英寸)
恒温区长度:760~1000 mm±1.0℃ (300~800℃) 760~1000 mm±0.5℃(800~1280℃)
单点稳定性:±1.0℃/24h (300~800℃) ±0.5℃/24h (800~1280℃)
气源路数:≤7路,可配恒温源瓶、氢氧合成点火器
气体控制:浮子/质量流量计
悬臂舟参数:速度:20~1000 mm/min 行程:2000 mm 定位精度:±1 mm 载荷:17 Kg
超净工作台:净化等级:100级(万级厂房)
噪音:≤62dB(A)
振动:≤3μm
设备特点:单元组合方式。根据工艺的不同,可以在主机的基础上配气源柜、超净工作台、悬臂推拉舟等。
晨立扩散炉设备,技术和质量已达国际水平,受到半导体设备制造企业和半导体行业高度关注.可完全替代国外同规格产品满足不同工艺的要求。