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第 1 / 1 页
英特尔展示下一代晶体管微缩技术突破,将用于未来制程节点
在IEDM2023上,英特尔展示了结合背面供电和直接背面触点的3D堆叠CMOS晶体管,这些开创性的技术进展将继续推进摩尔定律。2023年12月9日,英特尔在IEDM2023(2023IEEE国际电子...
2023-12-11
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727
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[名企]
基教
台式ALD,Nat. Mater.!二维晶体管介电层集成研究取得重要进展
台式三维原子层沉积系统-ALD体积小巧,可放在实验桌上多片4,6,8英寸样品同时沉积厚度均匀性高于99%适合复杂/掺杂薄膜沉积二维半导体表面沉积利器......随着现代半导体行业...
2023-10-19
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[方案]
高教
微纳光刻好助手!小型台式无掩膜直写光刻系统
随着国内各学科的发展和产业的升级,相关的科研院所和企事业单位对各种微纳器件光刻加工的需求日益增多。然而,这些微纳器件光刻需求很难被传统的掩模光刻设备所满足,主要...
2023-05-29
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5327
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[方案]
高教
复旦大学包文中课题组又发一篇Nature子刊,小型台式无掩膜光刻机助力晶圆二维半导体的集成电路工艺取得重要进展!
期刊:NaturecommunicationIF14.92文章DOI:https://doi.org/10.1038/s41467-021-26230-x【引言】石墨烯的发现为人类打开了二维材料的大门,经历十多年的研究,二维材料表现...
2022-08-04
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[技术]
高教
大面积/少层PtS2材料制备与物理特性研究
从1947年晶体管的诞生,到1958年集成电路的出现,微电子技术历经了半个多世纪的发展,现如今给人类社会发展带来了极大方便。作为信息产业基础的半导体材料是微电子、光电子...
2022-04-27
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[技术]
高教
基于超宽禁带氧化镓半导体的日盲探测器研究分享
寻求更宽的禁带宽度和更高的材料性能是化合物半导体材料发展的一个重要趋势。氧化镓(Ga2O3)半导体具有禁带宽度大(Eg~4.8eV)、击穿场强高(Ebr~8MV/cm)、Baliga品质因数...
2022-04-27
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1477
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[技术]
高教
实现超高探测率和光-暗电流比的增强型β-Ga2O3 MOSFET日盲光电晶体管
由于可以广泛用于光学成像,空间光通信,导弹制导和定位导航等领域,作为现代光电设备中关键组件的光电探测器(PD)近年来已引起越来越多的研究兴趣。目前,商用光电探测器...
2022-04-27
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[技术]
高教
ACS Nano:原子层沉积技术助力复杂纳米结构的合成和调控取得新进展
MoS2(二硫化钼),由于其优异的带隙结构(直接带隙为1.8eV),高表面体积比和的场效应晶体管(FET,fieldeffecttransistor)性能,已成为·具代表性的二维过渡金属硫族化合物(T...
2022-01-17
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7745
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[原理]
高教
小型台式无掩膜光刻机助力开发新型晶体管实现新冠肺炎快速筛选
【引言】在新冠疫情大流行的背景下,从大量人群中快速筛查出受感染个体对于流行病学研究有着十分重要的意义。目前,新冠病毒诊断方法包括血清学和病毒核酸测试,主要是以分...
2021-12-17
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1552
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[技术]
高教
如何1分钟完成厘米二维材料的载流子迁移率测量
引言近年来,石墨烯等二维材料与器件领域的研究和开发取得了日新月异的进展。随着二维材料与器件研究和开发的深入,研究人员越发清楚地认识到,二维材料中载流子的传输能力是影...
2021-12-02
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[应用]
高教
全国第十二届有机固体电子过程暨华人有机光电功能材料学术讨论会
届时我司将携McScience光电检测仪(M3000)&MSTECH经典型探针台(4000A)参展本次学术会议,欢迎各新老客户莅临指导.会议时间:8月20日~22日会议地址:长春国际会展中心大...
2021-07-12
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[动态]
高教
成果速递|小型无掩膜光刻直写系统(MicroWriter)在复旦大学包文中教授课题组的新研究应用
随着电子信息产业的高速发展,集成电路的需求出现了井喷式的增长。使得掩膜的需求急剧增加,目前制作掩膜的主要技术是电子束直写,但该制作效率非常低下,并且成本也不容小...
2019-10-15
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[应用]
高教
热扫描探针光刻技术消除肖特基势垒
二维半导体材料,比如二硫化钼(MoS2),表现出了诸多新奇的特性,从而使其具有应用于新型电子器件领域的潜力。目前,研究人员常用电子束光刻的方法,在此类仅若干原子层厚...
2019-01-29
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[应用]
高教
国际科研团队首次研制出大分子碳结构有机半导体
教育装备采购网讯:据中国科学院近日消息,一个国际科研团队首次研制出了一种含巨大分子的有机半导体材料,其结构稳定,拥有卓越的电学特性,而且成本低廉,可被用于制造现代电子设备中广泛使用...
2011-09-08
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