教育装备采购网讯：从西电新闻网讯获悉，日前，教育部、国家外国专家局下发通知，公布了高等学校学科创新引智计划2012年度建设项目。经专家评审，西安电子科技大学微电子学院申报的“宽禁带半导体与微纳电子学创新引智基地”等34个引智基地获批准，作为2012年度建设项目予以立项，成为“十二五”首批高等学校学科创新引智计划(简称“111计划”)新建引智基地。至此，我校共有3个高等学校学科创新引智基地。
“宽禁带半导体与微纳电子学创新引智基地” 汇聚了以GaN为代表的在宽禁带半导体材料与器件研究方面被誉为世界级大师的英国剑桥大学Colin Humphreys教授为海外学术大师以及加拿大麦克玛斯特大学M.Jamal Deen教授和美国罗格斯大学Jianhui Zhang教授等学术专家，充分显示出我校优势特色学科较强的科研水平和良好的国际合作基础。
“宽禁带半导体与微纳电子学创新引智基地”依托微电子学与固体电子学国家重点学科，以国家集成电路人才培养基地、国家级集成电路实验教学示范中心、“宽带隙半导体技术”国防重点实验室和“宽禁带半导体材料与器件”教育部重点实验室为平台，设立宽禁带半导体、微纳电子器件和系统芯片设计作为三个主要的研究方向。创新引智基地力争在理论研究上获得重大创新成果，在关键技术上取得重要突破，提升西电微电子学科在国际相关领域的水平和地位，努力将本引智基地建设成为西部地区微电子领域具有示范作用的人才培养、科学研究和国际学术交流的合作创新基地。
