仪器采用GB/T 1552-1995硅、锗单晶电阻率测定直排四探针法(2)范围：电阻率10-5～10+3欧姆·厘米，分辨率为10-5欧姆·厘米方块电阻10-4～10+4欧姆/□，小分辨率为10-4欧姆/□(3)可测量材料：半导体材料硅锗棒、块、片、导电薄膜等可准确测量的半导体尺寸：直径≥20㎜手动测试架：KDJ-1A 型手动测试架探头上下由手动操作，可以用作断面单晶棒和硅片测试，探针头可上下移动距离：120mm，测试台面200x200(mm)。(4)测量方式：平面测量。(5)电压表：双数字电压表，可同时观察电流、电压变化A.电流输出：直流电流0.003～100 mA连续可调，有交流电源供给(7)四探针测试探头注：如果测金属粉末电阻率把样品压成块或片才能测
