MOS管测试仪概述
率场效应管测试仪，是种新颖的数字显示式率场效应管参数测试装置，可用于标称 电流约在2-85A，率在300W以内的N沟导率场效应管主要参数的测试。它可以准确测量击穿电压 VDSS、栅开启电压VGS（th）和放大性参数跨导Gfs，尤其是跨导Gfs的测试电流可以达到50A，由于采 用脉冲电流测试法，即使在大电流测试时也不会对被测器件成何损坏，更可以在大电流状态下对场效 应管行参数致性的测试（配对）；仪器可用于同等电流等的IGBT参数的测量；仪器还是台性 能十分的电子元器件耐压测试装置，其测试耐压时的漏电流有1mA、250uA、25uA 三挡可以选择。仪器 主要用于率场效应管和IGBT的质量检验、参数的配对及其它电子元器件的耐压测试之用。仪器分N沟导型 测试仪和P沟导型测试仪两种。仪器外型美观、性能稳定、测量准确、操作简单、使用安方便。
主要测试能
1、率场效应管的击穿电压VDSS、栅开启电压VGS(th)、跨导Gfs的测试。
2、IGBT的击穿电压V(BR)ces、栅开启电压VGE(th)、跨导Gfs的测试。
3、率场效应管和IGBT在50A以下的意电流状态下致性的测试，可用于配对。
4、对其它更大电流和率的场效应管及IGBT的测试：（见下面介绍）。
5、各类晶体三管、二管、稳压管击穿电压的测试。
6、压敏电阻电压的测试等。
测试盒与测试线
1、利用测试盒可以方便的测试TO-126、TO-220、TOP-3等类似封装的率场效应管和IGBT。
2、利用测试线可以测量其它金属类、模块类等封装形式的率场效应管和IGBT。
