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Nature:WSe2/WS2超晶格中的低温光电与磁光性质最新研究进展

中国教育装备采购网 2020/8/18 12:52:28 围观476次 我要分享

  20世纪60年代物理学家约翰·哈伯德提出的Hubbard模型是一个简单的量子粒子在晶格中相互作用的物理模型,该模型被用于描述高温超导,磁性绝缘体,复杂量子多体中的物理机制。Hubbard模型在二维材料中的验证可以当做是量子模拟器,用以解释强关联量子粒子中的问题。近期,美国康奈尔大学的Jie Shan课题组在《自然》杂志上发表了WSe2/WS2超晶格中的低温光电与磁光性质最新进展,验证了Hubbard模型在二维材料体系中的实用性。

  文章通过对对角相排列的二硒化钨(WSe2)与二硫化钨(WS2)的研究,得到二维三角晶格Hubbard模型的相图。如图1a所示,由于双层WSe2/WS2的4%晶格失配而形成三角形的莫尔超晶格。通过调控双层WSe2/WS2器件的偏置电压来调控载流子浓度与填充因子,从而研究其电荷和磁性能。值得注意的是,WSe2/WS2之间的扭转角不同,两者的反射光谱展现出不同的性质(见图1d与图1e)。同时,在反射对比中观察到准周期调制,这可能与半整数莫尔代填充有关。

Nature:WSe2/WS2超晶格中的低温光电与磁光性质最新研究进展

图1. WSe2/WS2超晶格晶胞(a),能带(b)与器件示意图(c), WSe2/WS2扭转角分别为20度(d)与60度(e)时候的反射光谱数据。

  通过测量WSe2/WS2超晶格器件的电阻,作者发现当填充因子是0.5(半填充)或者1(完全填充)时,电阻变化最大(见图2c),该结果表明该器件在半填充与完全填充的时候具有绝缘态。

Nature:WSe2/WS2超晶格中的低温光电与磁光性质最新研究进展

图2. a: 温度1.65K,WSe2/WS2超晶格反射光谱随载流子浓度调控变化图。b: 反射光谱强度与填充因子的关系图。c: 不同温度下,器件电阻与填充因子曲线(内置图,电阻随温度变化图)。

Nature:WSe2/WS2超晶格中的低温光电与磁光性质最新研究进展

图3. a: 温度1.65K,WSe2/WS2超晶格圆偏振反射光谱随磁场变化。b: 不同填充因子情况下反射光谱塞曼分裂结果。c-d: g因子随温度变化结果。

  在半填充状态下,左旋圆偏振与右旋圆偏振测量的WSe2/WS2超晶格反射光谱在磁场下具有不同峰位(图3a)。该峰位差即是反应了磁场引入的塞曼分裂现象。通过分析g因子随温度变化的结果,确认温度高于4K时,WSe2/WS2超晶格的磁化率与温度关系符合居里-韦斯定律(Curie–Weiss law)。对以上磁化率与温度结果的进一步分析可以证实在WSe2/WS2超晶格中Hubbard模型完全适用。

  文章中,作者使用了德国attocube公司的attoDRY2100低温恒温器来实现器件在极低温度1.65K下通过电场与磁场调控的低温光学实验。该工作成功地表明莫尔超晶格是很好的研究强关联物理并适用Hubbard模型的平台。

Nature:WSe2/WS2超晶格中的低温光电与磁光性质最新研究进展

图4:低振动无液氦磁体与恒温器—attoDRY系列,超低振动是提供高分辨率与长时间稳定光谱的关键因素。

  

attoDRY2100+CFM I主要技术特点:

  + 应用范围广泛:  PL/EL/ Raman等光谱测量

  + 变温范围:1.5K - 300K

  + 空间分辨率:< 1 μm

  + 无液氦闭环恒温器

  + 工作磁场范围:0...9T (12T, 9T-3T,9T-1T-1T矢量磁体可选)

  + 低温消色差物镜NA=0.82

  + 精细定位范围: 5mm X 5mm X 5mm @4K

  + 精细扫描范围:30 μm X 30 μm @4K

  + 可进行电学测量,配备标准chip carrier

  + 可升级到AFM/MFM、PFM、ct-AFM、KPFM、SHPM等功能

  

参考文献:

  [1]. Yanhao Tang et al, Simulation of Hubbard model physics in WSe2/WS2moiré superlattices, Nature, 579, 353–358(2020)

  

相关产品:

  低震动无液氦磁体与恒温器-attoDRY:https://www.caigou.com.cn/product/2020022116.shtml

  无液氦低温强磁场共聚焦显微镜:https://www.caigou.com.cn/product/20160315781.shtml

  低温强磁场原子力/磁力/扫描霍尔显微镜:https://www.caigou.com.cn/product/20160315780.shtml


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