摘要：本发明公开了一种GaN基外延片衬底的回收方法，属于半导体技术领域。所述方法包括：将GaN基外延片放入真空的反应腔内；向所述反应腔内通入还原气体和催化气体，以使所述GaN基外延片的GaN在真空下发生还原反应。本发明通过将GaN基外延片放入真空的反应腔内，向反应腔内通入还原气体和催化气体，以使GaN基外延片的GaN发生还原反应，将GaN基外延片的GaN还原成单质镓和氨气，从而与衬底分离。该方法在高温环境下对衬底材料无物理和化学性损伤，保持了衬底的完整性，且该方法原理简单，过程可控，可以使GaN的分解速率较高，从而提高了衬底回收的速度。
- 专利类型发明专利
- 申请人华灿光电股份有限公司;
- 发明人皮智华;刘榕;张建宝;
- 地址430223 湖北省武汉市东湖新技术开发区滨湖路8号
- 申请号CN201310021876.X
- 申请时间2013年01月21日
- 申请公布号CN103137439A
- 申请公布时间2013年06月05日
- 分类号H01L21/02(2006.01)I;
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京公网安备11010802043465号
