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    一种半导体工艺中控制晶圆冷却的方法

      摘要:本发明公开了一种半导体工艺中控制晶圆冷却的方法,针对氧化、低压化学气相沉积或低温退火的不同工艺,根据降舟前温度的高低,调整晶舟的降舟速度;同时,根据不同工艺对氧含量要求的不同,调节冷却风速,将氮气流量控制在高低不同的范围,在降舟过程及承载区域对晶圆进行充分冷却后取片。本发明通过对晶圆预冷温度、降舟速度、氮气流量、冷却风速等冷却控制参数进行优化组合使用,在控制氧含量达标的同时,实现对工艺降舟阶段晶圆冷却的有效控制,可快速有效地降低晶圆的温度,控制及缩短冷却时间,从而增加晶圆产能,并明显节约作为冷却介质的氮气资源。
    • 专利类型发明专利
    • 申请人北京七星华创电子股份有限公司;
    • 发明人林伟华;王兵;兰天;宋辰龙;
    • 地址100016 北京市朝阳区酒仙桥东路1号
    • 申请号CN201410043195.8
    • 申请时间2014年01月29日
    • 申请公布号CN103745920A
    • 申请公布时间2014年04月23日
    • 分类号H01L21/02(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I;