QUANTUM量子科学仪器贸易(北京)有限公司

第7年
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 新一代高性能激光浮区法单晶炉
  • 新一代高性能激光浮区法单晶炉
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    参考价格: ¥0.00
    品  牌:Quantum Design Japan
    产品型号:LFZ-2KW
    适用范围:高教
    所在地区:日本
    上架时间:2019年06月14日
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    详细说明

        Quantum Design Japan公司推出的激光浮区法单晶生长系统传承日本理化研究所(RIKEN,CEMS)的先进设计理念,新一代高性能激光浮区炉具有更高功率、更加均匀的能量分布和更加稳定的性能,将浮区法晶体生长技术推向一个全新的高度!

    激光浮区法单晶生长系统可广泛用于凝聚态物理、化学、半导体、光学等多种学科领域相关单晶材料制备,尤其适合高饱和蒸汽压、高熔点材料及高热导率材料等常规浮区法单晶炉难以胜任的单晶生长工作,跟传统的激光浮区法单晶生长系统相比,Quantum Design公司推出的新一代激光浮区法单晶炉系统具有以下技术优势:

    采用专利技术同源五路激光设计,确保熔区能量分布更加均匀(专利号:JP2015-58640)

    更加科学的激光光斑优化方案,有助于降低晶体生长过程中的热应力(专利号:JP2017-136640, JP2017-179573)

    采用了独特的实时温度集成控制系统(专利号:JP2015-78683)

    新一代高性能激光浮区法单晶炉

    ttttt传统的五束独立激光源能量分布欠均匀

    tttttt新一代独家专利技术同源五路激光设计

    tttttt能量更均匀


    新一代激光浮区法单晶炉系统主要技术参数:

    加热控制

    激光束源

    5束同源设计

    激光功率

    2KW

    熔区最高温:

    ~3000℃*

    测温范围

    900℃~3500℃

    温度稳定性

    /-1℃

    晶体生长控制

    晶体生长最大设计长度

    150mm*

    晶体生长最大设计直径

    8mm*

    晶体生长最大速度/转速

    200mm/hr;40rpm

    样品腔真空度/压力

    10-4torr to 10 bar

    样品腔气氛

    O2/Ar/混合气

    晶体生长监控

    高清摄像头

    晶体生长控制

    PC控制

    其它

    占地面积

    D140 xW210 x H200 (cm)

    *具体取决于材料及实验条件


    新一代高性能激光浮区法单晶炉

    新一代高性能激光浮区法单晶炉

    tttttRIKEN(CEMS)设计的同源五束激光发生器原型机实物及原理图


    采用新一代激光浮区法单晶炉系统生长出的部分单晶体应用案例:

    新一代高性能激光浮区法单晶炉

    新一代高性能激光浮区法单晶炉

    新一代高性能激光浮区法单晶炉

    RubyDy2Ti2O7BaTiO3

    新一代高性能激光浮区法单晶炉

    新一代高性能激光浮区法单晶炉

    Sr2RuO4SmB6

    新一代高性能激光浮区法单晶炉

    新一代高性能激光浮区法单晶炉

    Ba2Co2Fe12O22Y3Fe5O12

    * 以上单晶图片由 Dr. Y. Kaneko (RIKEN CEMS) 提供