教育装备采购网
第三届体育论坛1180*60
教育装备展示厅
www.caigou.com.cn
教育装备采购网首页 > 产品库 > 产品分类大全 > 仪器仪表 > 光学仪器 > 电子光学及离子光学仪器

电子束吸收电流分析系统EBAC-RCI

电子束吸收电流分析系统EBAC-RCI
<
  • 电子束吸收电流分析系统EBAC-RCI
>
产品报价: 1000000
留言咨询
加载中
PE
EBAC-RCI
PE
高教 职教
德国
详细说明

  尚丰科技向用户提供专业的的电子束吸收电流分析系统EBAC/RCI

  EBAC-RCI原理EBAC/RCI电子束吸收电流分析系统,能够方便快速的定位半导体芯片电路中的短路及失效点位置,不但可以对同层电路,而且可以对次表层,甚至表层下第三层、第四层电路进行失效点的定位,因此能够对半导体芯片电路或相关材料进行快速准确的失效分析。

  目前,集成电路芯片设计越来越复杂,关键尺寸和金属连线线宽越来越小,传统的失效点定位方法,如微光显微镜或光束又到电阻变化鞥,由于其分辨率不足,导致不能精确地定位电路故障点位置,电压衬度方法虽然在一些开路短路失效分析中能快速地定位失效点,但只是局限于电路同层分析。

  

EBAC/RCI电子束吸收电流分析系统是基于扫描电镜的分析系统,在保留扫描电镜高分辨率的前提下,能够对同层芯片电路进行高定位,同时能够对次表层甚至表面下第三、第四层电路进行失效点定位,因此越来越多的应用于先进制程芯片的失效分析。在涉及多层金属层的失效定位分析时,EBAC/RCI方法更加简便精确,可保证分析的成功率,并缩短分析周期。


  EBAC/RCI acquisitionThe lowest noise Electron Beam Absorbed Current (EBAC)and Resistive Contrast Imaging (RCI)

  Find exact location of any open,resistive or shorting defect

  • Localize metal line cuts caused by cracking,corrosion, electro-migration, or foreign particles

  • Identify resistive opens caused by interface contamination at via interconnects

  • Pinpoint location for direct TEM lamella FIB preparation 

  Characterize interconnects with highest resolution

  • Reveal electrical integrity of nets with sub-mciron lateral resolution and bridge from EFA to PFA

  • Diagnose fabrication and long term issues, including contamination,metal pattering defects, resistive interconnectors, or electro-migration

  • Directly isolate defects to the exact layer and die location, and improve them to product improvement actions

  Verify device operation modes with built-in biasing for voltage contrast

  • Image bias/voltage contrast in delayered devices

  • Monitor operation of devices under bias

  • Compare imaged behaviour with device design

  Localize defects in thin dielectric layers

  • Visualise and localise weaknesses in gate oxide (GOX) and capacitor oxide (COX) before breakdown

  • Pinpoint oxides shorts caused by ESD or EOS with sub-micron resolution

  • Preserve the original defect signature with power dissipation in the lower nW range during localization

  Access failures invisible in voltage contrast

  • Find low resistances that allow charge tunneling trough the interconnects

  • Investigate structures in contact with the silicon substrate

  • Characterize large metal structures

  尚丰科技致力于引进推广先进的材料、生物显微观测及微区分析仪器,向科研人员提供高附加值服务。我们拥有一支涉及众多领域高素质的应用支持团队,为各行业的应用需求提供专业的解决方案和售后服务。


敬请联络 

尚丰科技(香港)有限公司

留言咨询
姓名
电话
单位
信箱
留言内容
提交留言
联系我时,请说明是在教育装备采购网上看到的,谢谢!
同类产品推荐