surpass大口径等离子刻蚀设备
本设备主要用于半导体刻蚀，能够兼容离子束刻蚀和反应离子刻蚀功能，使用气态化学刻蚀剂与材料产生反应来进行刻蚀，并形成可从衬底上移除的挥发性副产品，通过真空系统排出，特别适合刻蚀熔融石英、硅、光刻胶、聚酷亚胺( PI) 薄膜、金属等材料。
尺寸：Φ1500mm，Φ2000mm
刻蚀材料：石英、硅、金属、光刻胶等材料
刻蚀均匀性：2%~8%（光刻胶）
刻蚀速率：50nm~500nm/min真空度（极限）：5x10-4Pa
气路MFC：标配6种气体，耐腐蚀±0.5%FSI
刻蚀表面粗糙增加值：优于0.2nm
本设备可根据客户技术需求，定制研发生产，具体详情请电联我司。
成都超迈光电科技有限公司，为高新技术企业、标准拟定单位、创新型中小企业、省专精特新企业、新经济双百企业，已通过GB/T与GJB双体系认证。
公司致力于真空镀膜、等离子刻蚀、人工晶体材料和特殊装备的技术提升，具有全系列涂层服务装备和检测手段，已申请专利60余项，授权专利与软件著作权50余项，拟定标准2项，行业标准1项，为中国物理学会固体缺陷专家委员单位，全国电热装备标准化委员会单位，已形成工业级、科研级和特殊级三大产品系列，公司投入数亿元在南充高新区(顺庆高新区)建有超迈智能产业园，共分两期建设，一期已完成3.5万平方米厂房和配套办公生活设施建设，具备强大的研发和制造能力。
