摘要：本发明涉及一种高结晶性ZnO薄膜的制备工艺。其主要工艺步骤为：(1)制备ZnO陶瓷靶材；(2)清洗玻璃衬底；(3)在玻璃衬底上制备ZnO薄膜。在本发明中磁控溅射时溅射腔内本底真空度为1.8×10-4Pa，溅射功率统一定为150W，靶材与衬底之间的距离定为10cm，基片温度的范围为450℃～600℃，氩氧比为40∶0～20∶20(sccm∶sccm)，溅射气压为1Pa。本发明所制备的ZnO薄膜透明度好，具有极好的结晶性，晶粒具有很好的c轴取向生长特性。
- 专利类型发明专利
- 申请人广东志成冠军集团有限公司;
- 发明人曾祥斌;杨艳艳;王小锦;李青;李民英;陈宇;
- 地址523718 广东省东莞市塘厦镇田心工业区
- 申请号CN201010186969.4
- 申请时间2010年05月26日
- 申请公布号CN101845615A
- 申请公布时间2010年09月29日
- 分类号C23C14/35(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I;
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京公网安备11010802043465号
