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原子层刻蚀 & 区域选择原子层沉积系统

教育装备采购网 2022-06-20 15:53 围观0次

  近期向三星电子供货原子层刻蚀(ALE(Atomic layer etch))和区域选择原子层沉积(ASD(area selective deposition))设备. 

  设备由2个工艺模组和传送模组构成的 Cluster type ,工艺整合一体化程序. 拥有500℃以上高温及臭氧和等离子工艺能力,Z为开发半导体元件的次世代的设备.  ALE(原子层刻蚀)设备区别ALD(原子层沉积)设备是一款可利用原子层单位刻蚀沉积膜的设备,ASD(区域选择沉积)区别ALD(原子层沉积)则是选择性指定区域原子层沉积的设备. 

  目前很多学校,研究所以及企业采用ALE和ASD工艺积极研发未来前端集成元件. 期待ALE/ASD设备对未来半导体前端技术发展有较多的贡献.

原子层刻蚀 & 区域选择原子层沉积系统

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