摘要：本发明公开了一种基于介电应变效应的带温度补偿的MEMS电容式压力传感器及其加工方法。本发明利用介电应变效应，某些介电材料在应力的作用下，其介电常数会发生变化，该原理可以应用于压力传感器的设计，将感压膜设计成由多层材料构成的电容结构。在压力作用下，感压膜发生形变，膜的面积、厚度以及介质层中产生的应力使电容的介电常数发生变化，电容值发生变化，并且介电常数的变化是电容变化的主要因素。压力越大，介质层中的应力越大，介电常数的变化也越大。但是由于温度的变化也会导致介电材料中的应力的变化。因此，这种电容结构存在温度效应。本发明提出了一种将感压膜设计成两个电容，并采用两种不同的材料作为电容的绝缘介质，利用两种材料的温度效应不同进行温度补偿的结构设计。
- 专利类型发明专利
- 申请人南京工业大学;
- 发明人余辉洋;
- 地址211800 江苏省南京市浦口区浦珠南路30号
- 申请号CN201510569876.2
- 申请时间2015年09月09日
- 申请公布号CN105136352A
- 申请公布时间2015年12月09日
- 分类号G01L1/14(2006.01)I;
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京公网安备11010802043465号
