摘要：本实用新型公开了一种用于制造半导体器件的氧化装置，包括：工艺管、炉门、密封装置，炉门位于工艺管底部，并在与工艺管接触部位形成沟槽，密封装置位于沟槽里，密封装置包括O型密封圈及密封圈压片，密封圈压片与工艺管接触，O型密封圈与炉门接触。本实用新型公开的一种用于制造半导体器件的氧化装置在用于制造半导体器件的氧化装置处于工作状态时，不会发生O型密封圈的融化粘接现象，使得设备的工艺管和炉门在O型密封圈和密封圈压片的作用下实现了工艺管内与外界严格密封。同时避免频繁更换O型密封圈带来的维护成本的提高。
- 专利类型实用新型
- 申请人北京七星华创电子股份有限公司;
- 发明人赵燕平;王丽荣;董金卫;孙少东;
- 地址100016 北京市朝阳区酒仙桥东路1号M2号楼2层
- 申请号CN201020523711.4
- 申请时间2010年09月08日
- 申请公布号CN201796870U
- 申请公布时间2011年04月13日
- 分类号H01L21/02(2006.01)I;
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